Томашик В. М. Взаємодія GaAs з розчинами <$E bold roman {HNO sub 3~HCl~H sub 2 O}> / В. М. Томашик, О. С. Чернюк, В. І. Гриців // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 150-152. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.На базі дослідження потенціалів саморозчинення GaSb, Ga та Sb показано, що взаємодія галійстибіду з розчинами <$E roman {HNO sub 3~HCl~H sub 2 O}> визначається розчиненням Sb, що утворюється на поверхні в результаті хімічних та електрохімічних процесів. Для запобігання виділенню Sb на поверхні галійстибіду запропоновано використовувати свіжі травильні композиції, що не містять у собі іонів <$E roman Sb sup 3+>, або зв'язувати іони <$E roman Sb sup 3+> в комплексі сполуки. Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.315-26
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|