Методом сканувальної тунельної мікроскопії зі спеціальними вольфрамовими вістрями, покритими Bi, показано можливість безпосереднього спостереження початкових стадій адсорбції атомів водню в місцях кутових ям поверхні <$E roman Si(111)7~times~7>. Виявлено, що за кімнатної температури місця кутових ям на цій поверхні приблизно у два рази менш активні, ніж місця адатомів та залишкових атомів. Хімічна активність атомів у кутових ямах, залишкових атомів та адатомів не узгоджується з енергіями зв'язку атома водню в кожному з цих адсорбційних місць (3,2; 2,9 та 2,6 еВ відповідно). Тому хімічна активність до водню різних адсорбційних місць на поверхні <$E roman Si(111)7~times~7> за кімнатної температури визначається скоріше кінетичними факторами, зокрема, коефіцієнтом прилипання. Показано, що з ростом температури відбувається перерозподіл атомів водню між адатомами та залишковими атомами поверхні, проте кількість адсорбованого водню в кутових ямах не змінюється за температур <$E T~<<~400~symbol Р>C. Це свідчить про високий для атомів водню дифузійний бар'єр, що оточує кутову яму. Десорбція водню з поверхні <$E roman Si(111)7~times~7> відбувається за температури 450 - 500 <$E symbol Р>C одночасно з усіх адсорбційних місць. Запропоновано механізм десорбції водню з кутових ям за рахунок дифузії водню із місць адатомів у кутові ями з утворенням молекули H2.

• Булавенко Сергій Юрійович (фізико-математичні науки)
• Мельник Петро Володимирович (економічні науки)
• Мельник Петро Васильович (юридичні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"