Рассчитаны упругие напряжения в тонких пленках PbTe, осажденных на подогреваемые подложки NaCl и BaF2 в методе горячей стенки, определено их влияние на изменение ширины запрещенной зоны и константы равновесия. Учитывая зависимость парциального давления пара теллура от рода подложек, методами термодинамики и кристаллохимии получены зависимости концентрации собственных атомных дефектов и носителей тока от технологических факторов выращивания. Результаты теоретических расчетов хорошо коррелируют с известными экспериментальными данными.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"