Рассмотрено влияние много- и одноступенчатой термообработок на примесно-дефектный состав полуизолирующих кристаллов GaAs. Показано, что в отличие от одноступенчатой термообработки многоступенчатая стимулирует существенное уменьшение концентрации одних центров (например, <$E roman {Zn sub Ga ,~Si sub Ga C sub As}> и др.) и либо незначительно уменьшает, либо совсем не влияет на концентрацию других центров (например, <$E roman C sub As>, ассоциаты <$E A sup * D sup *> и др.). Отмеченные изменения обусловлены различным влиянием исследуемых термообработок на концентрацию центров в ПИН GaAs в зависимости не только от условий термообработки, но и от природы центров, их концентрации, а также взаимодействия их с другими примесями и дефектами.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"