Каганович Э. Б. Влияние примеси золота и отжига на фотолюминесцентные и электронные свойства системы por-Si/p-Si / Э. Б. Каганович, И. М. Кизяк, С. И. Кириллова, В. Е. Примаченко, С. В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 136-146. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Исследовано влияние примеси Au и отжигов в вакууме на фотолюминесцентные и электронные свойства структуры por-Si/p-Si, полученной методом химического травления. Показано, что интенсивность фотолюминесценции (ФЛ) возрастает при добавлении в раствор травителя примеси Au, при этом время релаксации ФЛ остается неизменным (десятки мкс). Отжиги при температуре 600 <$E symbol Р>C существенно уменьшают интенсивность ФЛ и времена ее релаксации: на легированной золотом структуре t ~ 250 нс, на нелегированной t ~ 50 нс. Исследованы на красном и белом свете температурные зависимости конденсаторной фотоЭДС. Обнаружены захват неравновесных дырок на ловушки в por-Si и захват неравновесных электронов на ловушки границы раздела por-Si/p-Si. Установлено влияние легирования Au и отжигов на фотоэдс в por-Si, фотоэдс в p-Si и процесса захвата дырок и электронов на ловушки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|