Исследовано влияние примеси Au и отжигов в вакууме на фотолюминесцентные и электронные свойства структуры por-Si/p-Si, полученной методом химического травления. Показано, что интенсивность фотолюминесценции (ФЛ) возрастает при добавлении в раствор травителя примеси Au, при этом время релаксации ФЛ остается неизменным (десятки мкс). Отжиги при температуре 600 <$E symbol Р>C существенно уменьшают интенсивность ФЛ и времена ее релаксации: на легированной золотом структуре t ~ 250 нс, на нелегированной t ~ 50 нс. Исследованы на красном и белом свете температурные зависимости конденсаторной фотоЭДС. Обнаружены захват неравновесных дырок на ловушки в por-Si и захват неравновесных электронов на ловушки границы раздела por-Si/p-Si. Установлено влияние легирования Au и отжигов на фотоэдс в por-Si, фотоэдс в p-Si и процесса захвата дырок и электронов на ловушки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Свєчніков Сергій Васильович (1926–2017) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"