Макогон Ю. Н. Влияние толщины слоя оксида SiOx на формирование эпитаксиального CoSi2 в пленках системы Co - Ti - SiOx - Si / Ю. Н. Макогон, С. М. Волошко, Е. П. Павлова, С. И. Сидоренко, О. В. Зеленин, М. А. Васильев, Ш. Тайхерт // Металлофизика и новейшие технологии. - 2001. - 23, № 11. - С. 1455-1464. - Библиогр.: 23 назв. - рус.Досліджено вплив товщини підшару оксиду SiOx на формування фазового складу, концентраційних неоднорідностей і структури дисиліциду кобальту під час термічних відпалів протягом 30 с системи Co - Ti - SiOx - Si за температур 575, 625, 700 та 900 <$E symbol Р>C. Показано, що найбільш оптимальною для одержання CoSi2 переважно епітаксійної орієнтації є товщина SiOx 1,91 нм, що обумовлено формуванням шару потрійної сполуки Co - Ti - Si, який виконує функцію "дифузійної мембрани" та контролює процес масопереносу атомів кобальту та кремнію. Ключ. слова: дисилицид, эпитаксиальная пленка, отжиг, фазовый состав Індекс рубрикатора НБУВ: К663.7-18
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|