РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000122251<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Макогон Ю. Н. 
Влияние толщины слоя оксида SiOx на формирование эпитаксиального CoSi2 в пленках системы Co - Ti - SiOx - Si / Ю. Н. Макогон, С. М. Волошко, Е. П. Павлова, С. И. Сидоренко, О. В. Зеленин, М. А. Васильев, Ш. Тайхерт // Металлофизика и новейшие технологии. - 2001. - 23, № 11. - С. 1455-1464. - Библиогр.: 23 назв. - рус.

Досліджено вплив товщини підшару оксиду SiOx на формування фазового складу, концентраційних неоднорідностей і структури дисиліциду кобальту під час термічних відпалів протягом 30 с системи Co - Ti - SiOx - Si за температур 575, 625, 700 та 900 <$E symbol Р>C. Показано, що найбільш оптимальною для одержання CoSi2 переважно епітаксійної орієнтації є товщина SiOx 1,91 нм, що обумовлено формуванням шару потрійної сполуки Co - Ti - Si, який виконує функцію "дифузійної мембрани" та контролює процес масопереносу атомів кобальту та кремнію.


Ключ. слова: дисилицид, эпитаксиальная пленка, отжиг, фазовый состав
Індекс рубрикатора НБУВ: К663.7-18

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського