Вивчено вплив електронів низької енергії (<$E~<<~100> еВ) на роботу виходу модифікованої поверхні Si та відбиття електронів від неї відповідно за допомогою методів контактної різниці потенціалів і спектроскопії повного струму за умов надвисокого вакууму (~ <$E 10 sup -8> Па) з мас-спектрометричним контролем залишкових газів в камері. Показано, що на поверхні Si під час термообробки формуються центри захоплення електронів, які мають адсорбційне походження та створюють комплекси типу дефект - адсорбована молекула, з властивостями пам'яті зарядового й енергетичного стану, що виявляється за зміни роботи виходу (до 20 %). За оцінкою радіус області на поверхні Si з хемосорбованим молекулярним шаром, з групами OH, на якій під дією захопленого електрона відбувається іх індукована орієнтація, становить ~ 8 нм. Перехід між метастабільними станами комплексу може йти в зворотному напрямку та відбувається під дією електронів, які мають різну енергію E або відрізняються знаком швидкості зміни енергії <$E dE "/" dt>.

Ключ. слова: кремний, поверхность, работа выхода, электроны, хемосорбция
Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.5 + В379.225

Рубрики:

Хемосорбція

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Нищенко Михайло Маркович (технічні науки)
• Шевченко Наталія Олександрівна (педагогічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"