Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) з часовим розділенням і температурні залежності фотоерс на структурах nc-Si/p-Si, <$E roman {nc-Si symbol <193> Ag symbol <209>} "/" p - roman Si>, і <$E roman {nc-Si symbol <193> Au symbol <209>} "/" p - roman Si> які виготовлено методом імпульсної лазерної абляції, до і після їх опромінення помірним (1,5 Вт/<$E roman см sup 2>) надвисокочастотним (НВЧ) полем магнетрона. Показано, що після НВЧ-опромінення в усіх структурах зменшуються фотоерс в nc-Si-плівках і концентрації пасток для електронів у плівках та на підкладці з p-Si. Після опромінення структур nc-Si/p-Si і <$E roman {nc-Si symbol <193> Ag symbol <209>} "/" p - roman Si> зменшується також концентрація граничних електронних станів (ГЕС) на підкладках з p-Si та зростають інтенсивність і час релаксації ФЛ. В той же час опромінення структур <$E roman {nc-Si symbol <193> Au symbol <209>} "/" p - roman Si>, які до опромінення мали великі інтенсивності та часи релаксації ФЛ, знижує ці величини, а також призводить до деякого зростання концентрації ГЕС. Висока потужність НВЧ-поля (7,5 Вт/<$E roman см sup 2>) погіршує фотолюмінесцентні властивості до повного зникнення ФЛ. Обговорено механізми впливу НВЧ-поля на властивості досліджених структур.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374 + В377

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Манойлов Едуард Геннадійович (фізико-математичні науки)
• Свєчніков Сергій Васильович (1926–2017) (технічні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"