Теоретично досліджено вплив радіаційного опромінення на основні фотоелектричні параметри кремнієвих сонячних елементів: струм короткого замикання та напругу розімкненого кола. Аналіз проведено для випадку довільного співвідношення між глибиною порушеного шару, довжиною дифузії неосновних носіїв заряду до опромінення та товщиною базової області. Запропоновано тришарову модель неоднорідної за глибиною рекомбінації, яка враховує збільшення кількості дефектів, створюваних низькоенергетичними протонами в кінці пробігу, а також особливості розподілу дефектів, створюваних електронами та протонами різних енергій.

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)
• Костильов Віталій Петрович (фізико-математичні науки)
• Черненко Василь Васильович (фармацевтичні науки)
• Черненко Володимир Васильович (фізико-математичні науки)
• Черненко Вікторія Валентинівна (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"