РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000123375<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Королюк С. Л. 
Генерування електронно-діркових пар у власному напівпровіднику в зовнішньому електричному полі / С. Л. Королюк, І. М. Раренко, С. С. Королюк, О. В. Галочкін // Укр. фіз. журн. - 2003. - 48, № 1. - С. 69-74. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.

Обчислено збільшення кількості електронно-діркових пар у власному напівпровіднику (НП), розміщеному в зовнішньому електричному полі. Ефект, який експериментально спостерігав А. Ф. Іоффе, зумовлений зменшенням іонізаційного потенціалу атомів за наявності зовнішнього електричного поля (ефект Зеннера). З точки зору зонної теорії ефект пояснюється викривленням зон і зумовленим ним своєрідним тунельним ефектом електронів з валентної зони в зону провідності. Одержано розв'язок рівняння Пуассона для електростатичного потенціалу в пластині НП, товщина якої набагато менша за її довжину і ширину, так що розподіл потенціалу можна вважати одновимірним. Це дає можливість знайти розподіл концентрації електронів і дірок, які вважаються невиродженими. Аналітичні співвідношення одержані для двох граничних випадків - великих товщин (<$E L~>>>>~l sub roman D>) і малих товщин (<$E L~<< <<~l sub roman D>), де <$E L> - товщина пластини, <$E l sub roman D> - довжина екранування Дебая. У разі <$E L~>>>>~l sub roman D> перерозподіл електронів і дірок практично повністю екранує зовнішнє електричне поле, яке зосереджено, головним чином, поблизу граней пластини. У разі <$E L~<< <<~l sub roman D> кількість електронів і дірок НП недостатня для повного екранування електричного поля і воно практично постійне (потенціал змінюється лінійно) по всій товщині пластини. Кількість генерованих електронно-діркових пар у НП, що знаходиться в електричному полі, в загальному випадку можна обчислити тільки числово. За малих різниць потенціалу <$E DELTA V> на гранях НП кількість генерованих електронно-діркових пар <$E DELTA N> в обох граничних випадках прямо пропорційна

<$E DELTA V sup 2>. Для великих <$E DELTA V> (але таких, що не призводять до електричного пробою НП) <$E DELTA V> експоненціально зростає зі збільшенням <$E DELTA V> і може на багато порядків перевищувати кількість рівноважних електронно-діркових пар, що знаходяться в НП за відсутності зовнішнього електричного поля.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського