Королюк С. Л. Генерування електронно-діркових пар у власному напівпровіднику в зовнішньому електричному полі / С. Л. Королюк, І. М. Раренко, С. С. Королюк, О. В. Галочкін // Укр. фіз. журн. - 2003. - 48, № 1. - С. 69-74. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Обчислено збільшення кількості електронно-діркових пар у власному напівпровіднику (НП), розміщеному в зовнішньому електричному полі. Ефект, який експериментально спостерігав А. Ф. Іоффе, зумовлений зменшенням іонізаційного потенціалу атомів за наявності зовнішнього електричного поля (ефект Зеннера). З точки зору зонної теорії ефект пояснюється викривленням зон і зумовленим ним своєрідним тунельним ефектом електронів з валентної зони в зону провідності. Одержано розв'язок рівняння Пуассона для електростатичного потенціалу в пластині НП, товщина якої набагато менша за її довжину і ширину, так що розподіл потенціалу можна вважати одновимірним. Це дає можливість знайти розподіл концентрації електронів і дірок, які вважаються невиродженими. Аналітичні співвідношення одержані для двох граничних випадків - великих товщин (<$E L~>>>>~l sub roman D>) і малих товщин (<$E L~<< <<~l sub roman D>), де <$E L> - товщина пластини, <$E l sub roman D> - довжина екранування Дебая. У разі <$E L~>>>>~l sub roman D> перерозподіл електронів і дірок практично повністю екранує зовнішнє електричне поле, яке зосереджено, головним чином, поблизу граней пластини. У разі <$E L~<< <<~l sub roman D> кількість електронів і дірок НП недостатня для повного екранування електричного поля і воно практично постійне (потенціал змінюється лінійно) по всій товщині пластини. Кількість генерованих електронно-діркових пар у НП, що знаходиться в електричному полі, в загальному випадку можна обчислити тільки числово. За малих різниць потенціалу <$E DELTA V> на гранях НП кількість генерованих електронно-діркових пар <$E DELTA N> в обох граничних випадках прямо пропорційна <$E DELTA V sup 2>. Для великих <$E DELTA V> (але таких, що не призводять до електричного пробою НП) <$E DELTA V> експоненціально зростає зі збільшенням <$E DELTA V> і може на багато порядків перевищувати кількість рівноважних електронно-діркових пар, що знаходяться в НП за відсутності зовнішнього електричного поля. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|