З використанням методів мас-спектрометрії нейтральних частинок з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоелектрорушійної сили досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалітному (крупнозернистому полікристалічному) кремнії. Використано швидкий термічний відпал (the rapid thermal annealing (RTA)) в ізохронному й ізотермічному режимах. Дозовані концентрації домішок заліза та міді введено в зразки шляхом іонної імплантації. Гетерний шар формувався на тильному боці зразка та складався з шару алюмінію, напиленого на модифіковану хімічним травленням розвинуту поверхню Si. Оцінено енергії активації та коефіцієнти дифузії міді та заліза в імплантованих зразках, підданих RTA. Запропоновано оптимальні температури та час RTA для одержання гетеруючого ефекту. Спостережено прискорену (аномальну) дифузію заліза в гетерний шар, у той час як коефіцієнт дифузії міді був близький до літературних даних для монокристалічного кремнію. Обговорено можливі механізми виявлених ефектів.

• Євтух Анатолій Антонович (фізико-математичні науки)
• Євтух Анатолій Анатолійович (хімічні науки)
• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)
• Оберемок Олександр Степанович (фізико-математичні науки)
• Попов Всеволод Геннадійович (фізико-математичні науки)
• Попов Валентин Георгійович (фізико-математичні науки)
• Романюк Борис Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"