Отмечено, что температурная зависимость коэффициента диффузии пробной частицы <$E D sub p (T)> диаметром <$E d sub p> несколько нанометров, которая перемещается в квантовом кристалле с узкой вакансионной зоной <$E Q sub nu ~<< <<~ T sub roman melt> за счет взаимодействия с тепловыми вакансиями, существенно изменяется с понижением температуры в области <$E T sub roman melt T sub roman tr Q sub nu>, где происходит переход от классического термоактивированного перескока вакансий к зонному движению делокализованных вакансионов. Более того, в переходной области <$E T~symbol Ы~T sub roman tr> коэффициент диффузии пробной частицы в вязком газе вакансионов может возрастать, если эффективная длина свободного пробега вакансионов мала по сравнению с диаметром частицы <$E l sub nu ~<< <<~d sub p> и увеличивается с понижением температуры быстрее, чем уменьшается концентрация тепловых вакансий <$E x sub nu> ~ exp(-<$E E sub nu "/" T>). При <$E T ~<< <<~T sub roman tr> в разреженном газе вакансионов, где <$E l sub nu ~>> >>~d sub p>, коэффициент диффузии частицы <$E D sub p (T)> ~ <$E x sub nu S sub {nu p}> убывает пропорционально <$E x sub nu>, если сечение неупругого рассеяния вакансиона на пробной частице <$E S sub { nu p}> слабо зависит от температуры. Развитая модель может быть применена для описания диффузии положительных зарядов в кристаллах ГПУ <$E nothing sup 4 roman He>, выращенных при давлениях выше минимального давления затвердевания гелия, и отрицательных зарядов в кристаллах параводорода.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"