Пащенко В. П. Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки <$E bold {roman {La sub 0,66 Mn sub 1,23 V} sub 0,11 sup (c) roman {O sub 2,84 sup 2- V} sub 0,16 sup (a)}> / В. П. Пащенко, G. Kakazeі, А. А. Шемяков, А. В. Пащенко, Л. Т. Цымбал, В. П. Дьяконов, H. Szymczak, J. A.M. Santos, J. B. Sousa // Физика низ. температур. - 2004. - 30, № 4. - С. 403-410. - Библиогр.: 40 назв. - рус.У результаті рентгеноструктурних, резистивних, ЯМР та магніторезистивних досліджень керамічних і тонкоплівочних лазерних перовскитів La0,7Mn1,3O3 із "надлишковим" марганцем встановлено, що їх реальна структура містить різновалентні йони марганцю, катіонні, аніонні вакансії й кластери, магнетизм і резистивність останніх проявлялися поблизу 42 K. Широкі асиметричні спектри ЯМР <$E nothing sup 55 roman Mn> та <$E nothing sup 139 roman La> кераміки свідчать про високочастотний електронно-дірковий обмін між різновалентними йонами марганцю, про високу дефектність і мезоскопічну неоднорідність нестехіометричних манганіт-лантанових перовскитів. Розходження температур фазових переходів метал - напівпровідник та енергії активації кераміки й плівок пояснено різною кисневою нестехіометрією, дефектністю структури та, відповідно, концентрацією носіїв заряду й екситонів. Низькопольовий магніторезистивний ефект кераміки пояснено тунелюванням на міжзеренних межах. Припущено, що зменшення опору в магнітному полі обумовлено збільшенням концентрації носіїв заряду за рахунок ослаблення електронно-діркової взаємодії у екситонах. Виявлену аномалію опору та магніторезистивного ефекту поблизу 42 K пояснено наявністю кластерів. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В375.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|