Минько В. І. Дослідження змін експозиційних характеристик халькогенідних фоторезистів з часом зберігання / В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, П. Ф. Романенко, І. З. Індутний, О. С. Литвин, В. А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 106-113. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.Виміряно залежності дифракційної ефективності від експозиції для голограмних граток, записаних на халькогенідних резистах, що зберігались протягом різного часу за умови кімнатної температури. Досліджено характеристики одержаних граток: форму профілю штрихів, спектральну та кутову залежності дифракційної ефективності. Визначено умови одержання граток з максимальною дифракційною ефективністю залежно від часу зберігання фоторезистів. Установлено, що форма профілю штрихів граток за оптимальної експозиції є близькою до синусоїди, дифракційна ефективність граток становить приблизно 80 % у поляризованому світлі, а також, що фоторезисти на основі халькогенідних шарів As40Se60 та As40S20Se40 придатні для запису періодичних голограмних структур протягом принаймні 30 діб з дня виготовлення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В374 + З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|