За допомогою скануючого тунельного мікроскопа (СТМ) зі звичайними W- та спеціальними Bi/W-вістрями вивчено зміни щільності електронних станів атомів поверхні <$E roman Si(111)7~times~7> за умов адсорбції водню в кутові ями. Знайдено, що адсорбція атомів водню в кутову яму збільшує щільність зайнятих електронних станів сусідніх з цією кутовою ямою адатомів на бездефектних половинах комірок <$E roman Si(111)7~times~7>. Цю зміну щільності електронних станів спостережено в СТМ-зображеннях із використанням Bi/W- і звичайних вістер. Запропоновано використання явища зміни електронних станів адатомів на бездефектних половинах як індикатора адсорбції водню в кутову яму під час СТМ-досліджень із застосуванням звичайних вістрів.

• Булавенко Сергій Юрійович (фізико-математичні науки)
• Мельник Петро Володимирович (економічні науки)
• Мельник Петро Васильович (юридичні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"