Наведено результати еліпсометричного дослідження стабільності резистних шарів As40S60 - хSex (x = 0, 20, 40, 60) у разі зберігання їх за звичайних лабораторних умов. Показано, що часова стабільність таких структурно залежних параметрів шару як показник заломлення та його товщина є найкращою для шарів з x = 0 - 20, а найменш стабільними є шари As40Sе60. На підставі еліпсометричних досліджень зроблено висновок, що резистні шари з х = 0 - 20 є придатними для проведення на них літографії навіть за умов зберігання їх протягом декількох років. Цей висновок підтверджено результатами запису оригіналу оптичної сигналограми компакт-диску на шарі As40S40Se20, який зберігався більше року.

Ключ. слова: неорганічний фоторезист, халькогенідне скло, фото- та термоструктурні зміни
Індекс рубрикатора НБУВ: З973-045.47

Рубрики:

Комп'ютери та програмування

Шифр НБУВ: Ж16550 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Костюкевич Сергій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Індутний Іван Захарович (1949–) (фізико-математичні науки)
• Сопінський Микола Вікторович (фізико-математичні науки)
• Шепелявий Петро Євгенович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"