Наведено результати дослідження термостимульованої екзоелектронної емісії (ТСЕЕ) кристалів CsBr, опромінених помірними дозами (<$E D~symbol Г~10 sup 4> Гр) ультрафіолету (<$E h nu~symbol Г~7> еВ), що селективно утворює аніонні екситони, які розпадаються на радіаційні дефекти в аніонній підгратці кристалів. На основі об'ємних термоактиваційно-рекомбінаційних і зонно-енергетичних оже-подібних механізмів екзоелектронної емісії розраховано параметри кінетики ТСЕЕ, а також концентрації екзоемісійно-активних центрів, які задовільно узгоджуються з концентраціями електронних F-центрів забарвлення кристалів. Установлено взаємозв'язок між термоактиваційними процесами в аніонній підгратці опромінених кристалів, які ініціюють термостимульовані рекомбінації радіаційних дефектів, та екзоемісією електронів. Для радіаційно опромінених кристалів обгрунтовано термоактиваційну оже-подібну рекомбінаційну модель релаксаційної екзоелектронної емісії.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31 + В377.1

Рубрики:

Дефекти

Електричні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Галій Павло Васильович (фізико-математичні науки)
• Мельник Ольга Ярославівна (економічні науки)
• Мельник Оксана Ярославівна (фізико-математичні науки)
• Мельник Оксана Ярославівна (мистецтвознавство)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"