Вивчено можливість народження мікродоменів (МД) у сегнетоелектричних кристалах поблизу неоднорідностей конкретного типу - заряджених мікровключень всередині кристала. Мікровключення моделюється сферою, МД - циліндром з плоскими торцями та нескінченно тонкими доменними стінками. Показано, що необхідною умовою зародження МД є перевищення заряду дефекту над пороговим значенням. Радіус і заряд дефекту однозначно визначають розміри МД. У залежності від параметрів зарядженого дефекту можуть виникати макродомени, голкоподібні або лінзоподібні мікродомени.

• Обуховський Володимир Віталійович (історичні науки)
• Морозовська Ганна Миколаївна (1977–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"