Вивчено зміну часу життя неосновних носіїв струму <$E tau> і питомого опору <$E rho> в кристалах <$E p>-Si в процесах опромінювання електронами з енергією 8 МэВ та ізохронного відпалу в інтервалі температур 80 - 600 <$E symbol Р>C. Час життя виміряно за допомогою методу загасання фотопровідності з малим рівнем інжекції, а питомий опір - за допомогою чотиризондового методу. Опромінювання та всі вимірювання проведено за умов кімнатної температури. Зіставлення кривих ізохронного відпалу <$E tau> і <$E rho> підтверджує висновок про рекомбінаційну активність дивакансій і <$E K>-центрів до <$E T sub roman відп~=~300~symbol Р>C і дозволяє припустити, що після відпалу в інтервалі температур 400 - 500 <$E symbol Р>C за зміну часу життя відповідальні комплекси <$E (V sub 3~+~roman O sub 2 )> або <$E (V sub 3~+~roman O sub 3 )>, а комплекси <$E (V sub 4 ,~(V~+~B)>, <$E V sub 3~+~roman O)> і <$E (V sub 2~+~roman O sub 2 )> не є рекомбінаційно-активними центрами.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"