Детально проанализировано поведение генерационного тока в управляемом затвором диоде на основе структуры "кремний-на-изоляторе" (КНИ). Анализ основан на моделировании объемной и поверхностной составляющих генерационного тока при различных напряжениях на затворе и подложке. На основании проведенного анализа для определения генерационных параметров в тонкопленочной КНИ-структуре предложены два метода. В одном из них используется так называемый двухзатворный режим, который обеспечивает синхронное изменение потенциалов на нижней и верхней границах раздела Si - SiO2. В другом используется режим, в котором изменение поверхностного потенциала на одной из поверхностей пленки КНИ производится при поддержании противоположной поверхности в сильном обогащении или инверсии. Предложенные методы применены для исследования генерационных характеристик КНИ-структур, изготовленных с помощью различных технологий.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"