Бабюк Т. И. Исследование некоторых технологических параметров выращивания гетероструктур типа <$E bold {{roman InAs~-~InAs} sub 1-x {roman Sb} sub x}}> и перспективы их применения / Т. И. Бабюк, О. С. Шевчук, В. М. Бурдейный, С. Г. Авдеев // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології. - 2001. - № 2. - С. 110-113. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Наведено результати дослідження технологічних параметрів вирощування гетероструктур типу <$E roman {InAs~-~InAs} sub 1-x {roman Sb} sub x> за різних концентрацій і температур. Оцінено коефіцієнти розподілу (<$E roman {K sab As ,~K sub Sb}>) компонентів цієї системи. Показано, що коефіцієнт розподілу миш'яку в інтервалі температур (<$E 780~symbol Г~Т~symbol Г~863>) і концентрації (<$E 0,35~symbol Г~x~symbol Г~0,45) дорівнює 2,2. Водночас коефіцієнт розподілу для сурми суттєво залежить від температури та для вказаного інтервалу температур і концентрацій змінюється в межах від 0,97 до 0,12. Розглянуто можливість практичного використання напружених гетероструктур для спектрального інтервалу 10 - 15 мкм. Ключ. слова: гетероструктуры, гетеропереходы Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|