Сухоиванов И. А. Исследование процессов оже-рекомбинации в напряженной InGaAsSb/GaSb квантоворазмерной гетероструктуре / И. А. Сухоиванов, В. В. Лысак, О. В. Машошина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 256-264. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Исследованы зависимости коэффициентов оже-рекомбинации от температуры, ширины квантовой ямы и молярных долей материалов квантоворазмерной гетероструктуры. Показано, что наличие упругого напряжения положительно влияет на характеристики исследуемой структуры, ослабляя ее температурную зависимость и уменьшая процессы безызлучательной рекомбинации. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|