Наведено результати кількісної оже-електронної спектроскопії (ОЕС) формування інтерфейсних шарів вуглецю на поверхні високовакуумних сколів кристалів шаруватих напівпровідників <$E roman {In sub 4 Se sub 3}>. Формування вуглецевих покриттів є результатом взаємодії атмосфери залишкових газів надвисоковакуумної камери оже-спектрометра, контрольованої мас-спектрометрично, з атомарно-чистими міжшаровими поверхнями сколювання кристалів, одержаними in situ. Із використанням методів кількісних оже-електронної та мас-спектроскопій досліджено кінетику формування інтерфейсних шарів вуглецю на поверхнях сколювання кристалів, елементно-фазовий склад міжфазної межі залежно від часу експозиції у високому вакуумі та від дози електронного опромінення.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Галій Павло Васильович (фізико-математичні науки)
• Ненчук Тарас Миколайович (фізико-математичні науки)
• Мельник Ольга Ярославівна (економічні науки)
• Мельник Оксана Ярославівна (фізико-математичні науки)
• Мельник Оксана Ярославівна (мистецтвознавство)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"