Продолжено начатое ранее детальное изучение кинетики нестационарной ползучести монокристаллов чистого <$E beta>-Sn, стимулированной сверхпроводящим n - s переходом. Образцы были ориентированы для скольжения по системе <$E (100) <<~010~>>~>. В этом случае кинетика ползучести определялась движением дислокаций через барьеры потенциального рельефа Пайерлса. Эксперименты выполнены при температурах <$E T sub 1~=~1,6~roman K> и <$E T sub 2~=~3,2~roman K>, меньших критической температуры олова <$E T sub c ~=~3,72~roman К>; n - s и s - n переходы осуществлялись выключением и включением магнитного поля. Подтвержден стадийный характер кривых ползучести <$E delta epsilon sub ns (t)> после n - s перехода: при <$E T sub 1 ~=~1,6~roman K> выявлены переходная, динамическая и флуктуационная стадии; при <$E T sub 2 ~=~3,2 roman K> - переходная и флуктуационная стадии. Изучены зависимости количественных характеристик каждой стадии от величины скорости ползучести в момент n - s перехода и полной предварительной деформации образца. Методом малых догрузок построены макроскопические диаграммы деформирования <$E beta>-Sn при указанных температурах и определены коэффициенты деформационного упрочнения, характеризующие интенсивность упрочнения на макромасштабном уровне. В приложении изложена теория низкотемпературной ползучести металлов, обусловленной квантовым (туннельным), динамическим и термически активированным движением дислокаций в потенциальном рельефе Пайерлса. Проведено сопоставление с теорией особенностей и характеристик динамической и флуктуационной стадий кривых ползучести оловa <$E delta epsilon sub ns (t)>, зарегис

трированных в экспериментах. Установлен квантовый характер флуктуационной стадии ползучести олова в изученном температурном интервале. В результате анализа кривых ползучести получены оценки для коэффициента деформационного упрочнения на макро- и микромасштабном уровнях, выявлено и обсуждено различие интенсивностей упрочнения на макро- и микромасштабном уровнях. Установлено, что нестационарная ползучесть <$E beta>-Sn в области температур жидкого гелия обусловлена низкоэнергетическими дислокационными процессами, которые связаны с туннельным преодолением эффективных потенциальных барьеров величиной порядка <$E 10 sup -3> эВ.

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.702.1 + В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Нацик Василь Дмитрович (1938–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"