Досліджено явище нерівномірності розподілення густини струму та температури в активному шарі тришарової світловипромінювальної напівпровідникової структури для тривимірного випадку з використанням числового методу контрольного об'єму в припущенні малості товщини активного шару - методу пограничного шару. Виявлено, що зі зростанням прямого струму, який підводиться, збільшується неоднорідність розподілення густини струму та температури в об'ємі структури, зокрема, підвищується їх концентрація в приконтактній області, а за малих значень прямого струму та у разі зворотного струму відбувається значне розтікання струму по всьому об'єму, що пов'язано з нелінійними властивостями опору p - n-переходу. Наведено результати розрахунків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24в641.8

Шифр НБУВ: Ж14164 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Подольцев Олександр Дмитрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"