Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с <$E E sub roman max> = 2 эВ (полоса <$E А>) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок <$E roman Xe sub 2 sup {+ *}> и примесных центров <$E roman {Xe sub 2 O} sup *>, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с <$E roman E sub max> = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar + Xe при высоких (~ 10 %) концентрациях ксенона. Сделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниями молекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зоне проводимости в области энергий вблизи 10 эВ.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"