Экспериментально исследован магнитоперенос в невырожденной квазиодномерной электронной системе над сверхтекучим гелием. Измерения проведены в перпендикулярных магнитных полях <$E roman B~symbol Г~2,6> Тл в температурном интервале 0,48 - 2,05 K при ширине проводящих каналов 100 - 400 нм. Как в области рассеяния носителей на атомах гелия в паре (<$E roman T~>>~0,9> K), так и в области рассеяния электронов на риплонах (<$E roman T~<<~0,9> K) продольная компонента магнитосопротивления <$E rho sub x> проводящих каналов преимущественно увеличивается с ростом B. Экспериментальные данные в области рассеяния носителей на атомах гелия в паре согласуются с классическим законом Друде, а в квантовом режиме переноса при <$E omega sub roman c tau~>>~1> (<$E omega sub roman c> - циклотронная частота, <$E tau> - время релаксации электронной системы) качественно описано теорией самосогласованного борновского приближения для <$E 2D> электронной системы над гелием. Предположено, что количественные различия экспериментальных и теоретических данных связаны с различием специфик исследуемой и теоретически анализируемой систем. Экспериментальные значения подвижностей электронов при низких температурах и малых магнитных полях совпадают с теоретическим расчетом, выполненным для квазиодномерной системы. Отрицательное магнитосопротивление проводящих каналов, которое наблюдали в области газового и риплонного рассеяния носителей, объясняется слабой локализацией носителей в исследуемой электронной системе.

• Гладченко Сергій Павлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"