За допомогою двотемпературної моделі міждолинного переносу електронів теоретично досліджено енергетичні та частотні характеристики діодів Ганна з використанням InpGa1-pAs (з докритичним рівнем легування активної області в режимі однорідного поля) та на основі InP1-pAsp у пролітному режимі з запірним металевим катодним контактом. Показано, що діоди Ганна на основі InpGa1-pAs у режимі однорідного поля мають негативну диференціальну провідність у широкому діапазоні частот, а діоди Ганна на основі InP1-pAsp є перспективними за своїми енергетичними та частотними характеристиками.

• Аркуша Юрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"