Досліджено домінуючі механізми розсіювання носіїв заряду в монокристалах <$E p>-PbSe за температур 4,2 - 300 K у концентраційному інтервалі <$E 10 sup 16~-~10 sup 20~roman см sup -3>. Показано, що узгодження теоретичних та експериментальних результатів існує у разі комплексного врахування розсіювання носіїв як на фононах та іонізованих вакансіях. В області низьких концентрацій за температур 77 і 300 K переважає розсіювання на оптичних полярних фононах, а в області високих концентрацій за температури 300 K - на деформаційному потенціалі оптичних фононів і короткодіючому потенціалі вакансій.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Галущак Мар'ян Олексійович (фізико-математичні науки)
• Галущак Марія Омелянівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"