Крыжановский В. Г. Моделирование высокоэффективных усилителей мощности на биполярном транзисторе / В. Г. Крыжановский, Ю. В. Рассохина, А. Н. Рудякова, И. Н. Шевченко // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2002. - 45, № 11-12, [ч. 2]. - С. 61-70. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Приведены результаты моделирования усилителя мощности класса F на биполярном транзисторе с высоким уровнем выходной мощности, обеспечиваемым индуктивным характером сопротивления выходной цепи на основной частоте и на частотах высших гармоник, и коэффициентом полезного действия 77-90 % в зависимости от настройки выходной цепи. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|