Розроблено двотемпературну модель міждолинного переносу електронів у варізонному напівпровіднику. За допомогою цієї моделі проведено дослідження діодів Ганна на основі варізонного <$E {roman In} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) roman As>. Склад напівпровідника <$E x(z)> лінійно залежить від координати в активній області діода. Показано, що роботу діода з варізонною активною областю визначає залежність від координати частоти релаксації електронів за концентрації в Г-долині <$E {roman In} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) roman As>. Якщо зазначена частота є спадною функцією з координати, (у <$E {roman In} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) roman As> це відбувається, якщо <$E x(z)> зростає) у діоді поширюються дипольні домени, якщо не убуває, то заряджені шари. Максимальне значення потоку вихідної потужності ~ 6,5 кВт/<$E roman см sup 2> одержано в <$E roman {GaAs~-~In sub 0,4 Ga sub 0,6 As}> - діоді на частоті ~ 37 ГГц з ефективністю ~ 12 %.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"