![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000130134<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Теслюк В. М. Моделювання профілів розподілу домішкових іонів, вакансій та міжвузлових атомів у напівпровідниковому матеріалі при іонному легуванні / В. М. Теслюк, О. Р. Корбецький // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління. - 2001. - № 1. - С. 22-27. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Запропоновано математичну модель іонної імплантації, яка базується на методі Монте-Карло, що дозволяє підвищувати точність моделювання з урахуванням основних законів взаємодії іона з атомами багатокомпонентної мішені. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|