Сукач А. В. Неохлаждаемые фотодиоды <$E bold {p sup + roman {-InAsSbP} "/" n roman -InAs}> / А. В. Сукач, В. В. Тетеркин, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 215-219. - Библиогр.: 8 назв. - рус.Методом жидкофазной эпитаксии при комнатной температуре получены фоточувствительные гетероструктуры <$E p sup + roman {-InAsSbP} "/" n roman -InAs> на область спектра 1,0 - 3,6 мкм. Экспериментально и теоретически исследованы их электрические и шумовые характеристики в температурном интервале 77 - 300 К. Установлено, что распределение основных носителей заряда на границе гетероперехода является резким, а механизмы переноса заряда через потенциальный барьер объясняются диффузией в квазинейтральной области и генерацией - рекомбинацией в области пространственного заряда. Сравнительный анализ параметров показывает, что исследованные фотодиоды имеют более высокое значение вольт-ваттной чувствительности и более широкую спектральную область максимальной чувствительности по сравнению с их зарубежными аналогами. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|