Методом жидкофазной эпитаксии при комнатной температуре получены фоточувствительные гетероструктуры <$E p sup + roman {-InAsSbP} "/" n roman -InAs> на область спектра 1,0 - 3,6 мкм. Экспериментально и теоретически исследованы их электрические и шумовые характеристики в температурном интервале 77 - 300 К. Установлено, что распределение основных носителей заряда на границе гетероперехода является резким, а механизмы переноса заряда через потенциальный барьер объясняются диффузией в квазинейтральной области и генерацией - рекомбинацией в области пространственного заряда. Сравнительный анализ параметров показывает, что исследованные фотодиоды имеют более высокое значение вольт-ваттной чувствительности и более широкую спектральную область максимальной чувствительности по сравнению с их зарубежными аналогами.

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"