Аркуша Ю. В. О работе диода Ганна с двумя InP0,7As0,3 - In0,4Ga0,6As активными областями / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. - 2003. - 8, № 2. - С. 279-286. - Библиогр.: 8 назв. - рус.За допомогою двотемпературної моделі міждолинного переносу електронів у напівпровіднику досліджено роботу діода Ганна з послідовно з'єднаними InP0,7As0,3 і In0,4Ga0,6As активними областями. Одержано енергетичні та частотні характеристики діодів з різними типами металевого контакту на катоді (висота бар'єра 0,04 еВ). Визначено, що вихідні характеристики діода з двома активними областями та з запірним металевим катодом є результатом складної взаємодії фізичних процесів, які відбуваються одночасно в двох областях. Найбільший потік вихідної потужності складає ~ 40 кВт/<$E roman см sup 2> на частоті ~ 42 ГГц за ефективності генерації ~ 20 %. Діод з антизапірним металевим контактом працює, як діод з гетерокатодом, тобто в генерації коливань струму приймає участь тільки In0,4Ga0,6As область. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|