Представлено результати експериментальних і теоретичних досліджень поверхні кристалів GaAs зі спеціально підготованим одно- та двовимірним рельєфом поверхні за допомогою методу диференціальних кривих повного зовнішнього відбивання (ДК ПЗВ) рентгенівських променів. Використовуючи аналіз серії експериментальних диференціальних кривих гойдання (ДКГ) з урахуванням даних, одержаних за допомогою методу атомно-силової мікроскопії, розв'язано пряму й обернену задачі - відновлено параметри рельєфу поверхні та розраховано теоретичні ДКГ. Відзначено задовільне узгодження параметрів рельєфу, одержаних за допомогою методів ДК ПЗВ та атомно-силової мікроскопії.

• Баловсяк Сергій Васильович (фізико-математичні науки)
• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"