Малишева Л. І. Особливості квантування електронних станів кристалічного шару в однорідному електричному полі / Л. І. Малишева // Укр. фіз. журн. - 2002. - 47, № 12. - С. 1173-1179. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.
Досліджено особливості розподілу поверхневих і внутрішніх енергетичних станів для скінченного та напівнескінченного кристалів за присутності однорідного постійного електричного поля в межах однозонної моделі та наближення сильного зв'язку. З розумними обмеженнями на параметри одержано аналітичні вирази для власних значень енергії та шляхом числових розрахунків продемонстровано їх хорошу точність.
Шифр НБУВ: Ж26988Пошук видання у каталогах НБУВДодаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"