Подано стислий огляд праць з розробки та дослідження фотовольтаїчних перетворювачів (ФП) сонячної енергії на базі напівпровідників типу <$E roman {A sup 2 B sup 6}>. Послідовно проаналізовано фізико-технологічні аспекти таких ФП у трьох групах матеріалів: CdTe; CuxS - CdS; потрійні (четверні) сполуки типу CuIn(Ga)S2(Se2) або CIS (в англомовній літературі). Ретельно розглянуто тонкоплівковий та гетероперехідний характер перспективних ФП. Проаналізовано різні механізми оптичних та рекомбінаційних втрат енергії та шляхи її мінімізації, зокрема, особливостей енергетичної зонної діаграми контактних напівпровідників гетероперехідної пари (розриви зон на межі поділу, варизонність, локалізація генерації нерівноважних електронно-діркових пар). Визначено місце тонкоплівкових ФП на основі напівпровідників <$E roman {A sup 2 B sup 6}> і потрійних сполук типу CIS на світовому ринку розробок і використання сонячних елементів серед інших фотовольтаїчних матеріалів (Si, <$E roman {A sup 3 B sup 5}>).

• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"