Дадыкин А. А. Полевая электронная эмиссия из пьезоактивного SiO2 / А. А. Дадыкин, А. Г. Наумовец, П. П. Горбик, И. В. Дубровин, В. М. Огенко // Химия, физика и технология поверхности. - 2002. - Вып. 3. - С. 51-54. - Библиогр.: 1 назв. - рус.За умови середніх електричних полів <$E roman {E~<<~10 sup 5~B "/" см}> одержано і досліджено стаціонарну холодну електронну емісію зі зразків SiO2, який має досить високу п'єзоелектричну активність. Емісія стабільна навіть у разі <$E roman {p~>>~10 sup -5 Top}> і відрізняється високою <$E j~>>~10 roman {A "/" см} sup 2> густиною струму. У випадку неп'єзоактивних зразків з плавкого кварцу та сапфіру емісію не зареєстровано, навіть за <$E roman {E~>>~10 sup 6~B "/" см}>. Результати пояснено великим (>> 100) підсиленням електричного поля біля торців плівок п'єзоелектриків, внаслідок чого внутрішні поля в приповерхневій області досягають значень ~<$E 10 sup 7~roman {B "/" см}>, достатніх для розвитку ефекту Зінера. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж68643 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|