Воробкало Ф. М. Полупроводниковые термометры сопротивления: физические основы (Обзор) / Ф. М. Воробкало, Ю. М. Шварц // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 210-224. - Библиогр.: 32 назв. - рус.Проведен обзор, систематизация и анализ механизмов проводимости, лежащих в основе работы полупроводниковых термометров сопротивления (ПТС), начиная от высокотемпературных и заканчивая самыми низкотемпературными. Рассмотрены собственная и примесные проводимости (в области истощения, активационная с половинным и целым наклоном), <$E E sub 2>-проводимость, прыжковая проводимость с постоянной энергией активации, а с переменной - моттовская проводимость (закон <$E T sup {1 "/" 4}>), а также при наличии кулоновской щели проводимость по закону Шкловского - Эфроса (закон <$E T sup {1 "/" 2}>). Исследованы температурные области их проявления и проведен качественный анализ возможности управления ими за счет очистки и легирования примесями с различной глубиной, изменения концентрации и компенсации. Рассмотрены слабо- и сильнолегированные, слабо и сильно компенсированные полупроводники в целях создания на их основе ПТС. Показаны пути получения узко- и широкодиапазонных термометров сопротивления. Оценены некоторые возможности наиболее распространенных полупроводников Ge, Si, GaAs для создания ПТС. Індекс рубрикатора НБУВ: В361.51 + З322-524.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|