Сльотов М. М. Рекомбінаційні процеси в електролюмінесцентних структурах метал - GaN / М. М. Сльотов // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 12. - С. 1300-1303. - Бібліогр.: 16 назв. - укp.Досліджено механізми люмінесценції в структурах Au - GaN. Показано, що коли вміст цинку менший, ніж 10<^>17 см<^>-3, домінує рекомбінація за участю поодиноких енергетичних центрів, пов'язаних з однозарядними вакансіями азоту <$E V sub roman N sup * > і галію <$E V prime sub roman Ga >, а також з утвореними ними донорно-акцепторними парами <$E V sub roman N sup *~-~V prime sub roman Ga >. Починаючи з концентрації цинку <$E 2~cdot~10 sup 18~roman см sup -3 >, переважає рекомбінація за участю центрів заміщення ZnGA, а спектр електролюмінесценції визначається електрон-фононною взаємодією центрів з LO-фононами. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|