Досліджено роботу послідовно сполучених дворівневого резонансно-тунельного діода AlAs/GaAs і GaAs-Ганна в резонансному ланцюзі. Вольтамперні характеристики такої низки діодів мають особливості - перескоки по струму, ділянки вольтамперних характеристик недоступні для вимірів, зсув максимумів струму до області великих напруг. Вольт-амперні характеристики мають три ділянки з негативною диференціальною провідністю, що можна використати для генерації в міліметровому діапазоні. Визначено співвідношення параметрів резонансно-тунельного діода та діода Ганна, за яких утворюються три зони генерації - дві зони за рахунок резонансного тунелювання й одна зона за рахунок міждолинного переносу електронів. Оцінено ефективність генерації в цих зонах на частотах міліметрового діапазону.

• Боцула Олег Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"