Получены теоретические выражения для эффективных скоростей поверхностной рекомбинации (СПР), вводимых на границах областей пространственного заряда и квазинейтрального объема базы. Рассмотрена ситуация произвольного соотношения площадей контактов, обеспечивающих токосъем, и площадей участков, пассивированных диоксидом кремния. Приведены критерии, позволяющие применять определенные таким образом СПР при описании характеристик солнечных элементов (СЭ). Теоретически и экспериментально исследованы спектральные зависимости малосигнальной ЭДС разомкнутой цепи кремниевых СЭ, если толщина базы d или меньше, или порядка длины диффузии неосновных носителей в базе <$E L sub d>. Предложен метод определения <$E L sub d> и эффективных СПР на фронтальной и тыльной поверхностях СЭ из спектральной зависимости малосигнальной фотоЭДС. Описаны закономерности релаксации малосигнальной фотоЭДС кремниевых СЭ после выключения малосигнального импульсного возбуждения в зависимости от интенсивности постоянной подсветки.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)
• Черненко Василь Васильович (фармацевтичні науки)
• Черненко Володимир Васильович (фізико-математичні науки)
• Черненко Вікторія Валентинівна (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"