Иванов А. И. Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А. И. Иванов, А. Н. Лукьянов, Б. А. Мерисов, А. В. Сологубенко, Г. Я. Хаджай // Физика низ. температур. - 2002. - 28, № 6. - С. 648-652. - Библиогр.: 13 назв. - рус.В интервале темпеpатуp 2 - 300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена согласованная обработка температурных зависимостей теплопроводности "земного" и "космического" образцов в рамках дебаевской модели фононного спектра с учетом граничного и резонансного рассеяний, а также рассеяния на "плоских дефектах", и фонон-фононных U-процессов. Различие в зависимостях теплопроводности "космического" и "земного" образцов связано с наличием в "земном" образце избыточного мышьяка, который обусловливает как резонансное рассеяние, так и рассеяние на "плоских дефектах", в качестве последних могут быть кластеры атомов мышьяка. Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|