Сукач Г. А. Физико-математическая модель роста тонких пленок GaN при обработке кристаллов GaAs в атомарном азоте / Г. А. Сукач, В. В. Кидалов, А. И. Власенко, М. Б. Котляревский, Е. П. Потапенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 91-98. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Предложена физико-математическая адсорбционно-десорбционно-кристаллизационная модель роста тонких пленок GaN на подложках GaAs при обработке их в активных радикалах азота. Проанализированы термодинамика, кинетика и два физико-химических механизма роста тонких пленок GaN на поверхности монокристаллических подложек GaAs. Первый квазиэпитаксиальный механизм роста осуществляется, когда родикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, вытягивают из его объема атомы Ga и на поверхности базового кристалла вырастают новые слои GaN, второй - когда активные радикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, диффундируют в объем подложки и эпитаксиальная пленка GaN растет по диффузионному механизму. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|