Новосядлий С. П. Фізико-технологічні особливості формування структур кремнієвих сонячних елементів на основі <$E bold {p~-~n}>-переходів / С. П. Новосядлий, П. І. Мельник, Р. І. Запухляк // Металлофизика и новейшие технологии. - 2003. - 25, № 3. - С. 333-352. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Проаналізовано основні технологічні чинники, що визначають ефективність кремнієвих сонячних елементів (СЕ): монокремнію Чохральського, гетерної технології, просвітлювального покриття, високоенергетичної імплантації, люмінофорів, та вироблено загальні принципи формування високоефективних структур СЕ на основі <$E p~-~n>-переходів у кремнієвих пластинах Чохральського. Розроблено модель, яка зв'язує параметри СЕ із його спектральним відгуком. Ключ. слова: модель СЕ, вольт-амперна характеристика, спектральний відгук, текстурований гетер, ізоконцентраційна домішка, високоенергетична імплантація, люмінофор, просвітлювальне покриття Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|