Описана технология выращивания высококачественных фотоактивных слоев соединений А2В6 на ориентирующих поликристаллических подложках. На их основе получены тонкопленочные гетероструктуры с дополнительным изотипным n - n-гетеропереходом. Показано, что использование дополнительных потенциальных барьеров в валентной зоне на межфазных границах перспективно для конструирования новых эффективных фотоэлектрических приборов. Впервые созданы тонкопленочные сенсоры ультрафиолетового излучения, нечувствительные к видимому свету.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"