Вивчено фотоелектрохімічні процеси на GaAs-електроді. Встановлено, що в полісульфідній системі відбувається адсорбція сульфід-іону, що зменшує поверхневу рекомбінацію фотогенерованих носіїв заряду. Визначено концентрацію адсорбованих сульфід-іонів в електроліті, що використовується для перетворення сонячної енергії, а також концентрацію поверхневих рекомбінаційних центрів. Показано, що за високої інтенсивності освітлення ККД фотоперетворення на електроді досягає 20 - 23 %.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"