Колбасов Г. Я. Фотоэлектрохимические процессы на GaAs и InP, модифицированных наноразмерными частицами CdS / Г. Я. Колбасов, С. В. Волков, В. С. Воробец, И. А. Русецкий // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2004. - 2, Вип. 1. - С. 169-177. - Библиогр.: 13 назв. - рус.Вивчено фотоелектрохімічні процеси на GaAs та InP, поверхню яких модифіковано наночастинками CdS. Показано, що фоточутливість GaAs і InP після модифікування їх поверхні наночастинками CdS збільшується зі зменшенням внеску катодного фотоструму відновлення полісульфідів і зниженням рекомбінаційних втрат на поверхні, в результаті чого в полісульфідному розчині одержано значення 23 % ККД перетворення енергії сонячного світла в електричну енергію. Ключ. слова: наноразмерные частицы, полупроводники, электроактивные частицы, фотоэлектрохимические процессы, полисульфидные растворы Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|