Исследован спектр поглощения тонких пленок сегнетоэластиков M2CdI4 (M: Cs, Rb) со структурой типа <$E beta>-K2SO4 в интервале энергий 3 - 6 эВ и температур 90 - 420 К. Установлено, что оба соединения относятся к прямозонным диэлектрикам, и низкочастотные электронные и экситонные возбуждения локализованы в <$E roman CdI sub 4 sup 2-> структурных элементах кристаллической решетки соединений. По температурным зависимостям спектрального положения и полуширины низкочастотных экситонных полос в Rb2CdI4 обнаружен фазовый переход при 380 К (парафаза <$E symbol О> несоразмерная), фазовый переход I рода при 320 К (несоразмерная <$E symbol О> первая сегнетоэластическая) и II рода при 210 К (первая <$E symbol О> вторая сегнетоэластические фазы). Подобные, но менее выраженные, фазовые переходы найдены в Cs2CdI4 при более низких температурах. В сегнетоэластических фазах исследованных соединений появляется дополнительное уширение полос, связанное, по-видимому, с рассеянием экситонов на флуктуации деформации в области доменных границ.

• Коваленко Олена Миколаївна (1964–) (мистецтвознавство)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"