Денисова 3. Л. Электролюминесцентные свойства тонкопленочных структур на основе ZnS с тонкими прослойками ZnS:Mn / 3. Л. Денисова, Я. Ф. Кононец, Ю. В. Копытко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып. 36. - С. 76-82. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Изучены электролюминесцентные свойства тонкопленочных структур, в которых тонкий тестовый слой ZnS:Mn (d = 70 нм) располагался в различных местах слоя нелегированного ZnS: в середине ZnS, у нижнего или верхнего диэлектриков. Показано, что на инжекционные свойства границы i - ZnS не влияло легирование приграничной области ZnS марганцем, что вытекает из идентичности волн тока и излучения горячих носителей для обеих полярностей напряжения. Вместе с тем излучение ионов Mn<^>2+ было намного больше, когда тестовый слой ZnS : Mn располагался у катода. Установлено, что наблюдаемый эффект связан с неоднородным распределением поля: образующийся в толщине ZnS положительный объемный заряд является причиной увеличения электрического поля в прикатодной области. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|